Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Ёмкость модулей может достигать 256 Гбайт

Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Ёмкость модулей может достигать 256 Гбайт

Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Ёмкость модулей может достигать 256 Гбайт
06.10.2020
Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory. Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики. Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность. Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз. Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV). Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности.

Возврат к списку